หลักการทำงานของไดโอด (การนำไฟฟ้าไปข้างหน้า, การนำไฟฟ้าแบบย้อนกลับที่ไม่ใช่-)
คริสตัลไดโอดเป็นจุดเชื่อมต่อ ap-n ที่เกิดจากเซมิคอนดักเตอร์ชนิด p- และชนิด n- ชั้นประจุอวกาศก่อตัวขึ้นทั้งสองด้านของอินเทอร์เฟซ และสร้าง-สนามไฟฟ้าในตัว เมื่อไม่มีการใช้แรงดันไฟฟ้าภายนอก กระแสการแพร่กระจายที่เกิดจากความต่างความเข้มข้นของตัวพาข้ามจุดเชื่อมต่อ p-n และกระแสฟริฟท์ที่เกิดจาก-สนามไฟฟ้าที่สร้างขึ้นจะเท่ากัน ส่งผลให้มีสถานะสมดุลทางไฟฟ้า เมื่อมีการใช้อคติไปข้างหน้า ผลการยกเลิกร่วมกันระหว่างสนามไฟฟ้าภายนอกและสนามไฟฟ้าในตัว-จะเพิ่มกระแสการแพร่กระจายของพาหะ ทำให้เกิดกระแสไปข้างหน้า (สาเหตุของการนำไฟฟ้า) เมื่อใช้ไบแอสย้อนกลับ สนามไฟฟ้าภายนอกและ-สนามไฟฟ้าในตัวจะถูกทำให้แข็งแกร่งขึ้นอีก ทำให้เกิดกระแสความอิ่มตัวย้อนกลับ I0 ที่ไม่ขึ้นอยู่กับค่าแรงดันไฟฟ้าไบแอสย้อนกลับภายในช่วงแรงดันย้อนกลับที่แน่นอน (นี่คือเหตุผลว่าทำไมจึงไม่-นำไฟฟ้า)
เมื่อแรงดันย้อนกลับที่ใช้สูงเพียงพอ ความแรงของสนามไฟฟ้าในชั้นประจุของพื้นที่รอยต่อ p-n จะถึงค่าวิกฤต ทำให้เกิดกระบวนการคูณพาหะ ทำให้เกิดคู่อิเล็กตรอน-จำนวนมากในรู และทำให้เกิดกระแสไฟฟ้าพังทลายแบบย้อนกลับที่มีขนาดใหญ่มาก ซึ่งเรียกว่าการสลายไดโอด
